三星电子3纳米制程技术已正式流片三星电子日前宣布,3纳米制程技术已经正式流片,据悉,三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极,gate,all,around,GAA,晶体管架构,性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管,FinFET,架构,三星电子表示,因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具,该公...。
更新时间:2024-12-03 22:22:39
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